特許
J-GLOBAL ID：200903016344510678

ポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物に用いられる樹脂、該樹脂の合成に用いられる化合物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法

発明者：
神田 博美

神田 博美 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-238730
公開番号（公開出願番号）：特開2008-058878
出願日： 2006年09月04日
公開日（公表日）： 2008年03月13日
要約：
【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用されるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することであり、通常露光(ドライ露光)のみならず液浸露光においてプロファイルやラインエッジラフネスの劣化が少なく、また、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することである。【解決手段】(A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)特定構造を有する樹脂および(D)溶剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、 (B)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、 (C)下記一般式(C-I)〜(C-III)から選ばれる繰り返し単位を対応するモノマー換算で80モル%〜100モル%有する樹脂、 (D)溶剤 を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (4件)：
G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/033
FI (4件)：
G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/033
Fターム (18件)：
2H025AA02 ,  2H025AA11 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB00 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (2件)

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