特許

J-GLOBAL ID：200903016366120474

基板処理方法及び基板処理装置

発明者： 戸島 孝之 ,  上野 欽也 ,  山坂 都 ,  堤 秀介 ,  飯野 正
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 萩原 康司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-323869
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110772
出願日： 1999年11月15日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】 高い処理能力を得ることができる,基板処理方法及び基板処理装置を提供する。【解決手段】 ウェハWを洗浄する方法であって,純水の液膜31をウェハWの表面に形成する一方で,純水の液膜31にオゾンガス20を溶解させてオゾン水の液膜32を生成してウェハWの表面に形成されたレジスト膜30を除去する。洗浄装置1は,このような洗浄方法を好適に実施することができる。

請求項（抜粋）：

基板を処理する方法であって,溶媒の液膜を基板の表面に形成する工程と,前記溶媒の液膜に処理ガスを溶解させて基板を処理する工程とを有することを特徴とする,基板処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 645 ,  H01L 21/304 647 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

H01L 21/304 645 B ,  H01L 21/304 647 Z ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 B

Fターム (6件)：

2H096AA25 ,  2H096JA04 ,  2H096LA02 ,  2H096LA03 ,  5F046MA01 ,  5F046MA02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 基板の洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-252139   出願人：住友金属工業株式会社
• シリコンウエーハの洗浄方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-264596   出願人：新日本製鐵株式会社
• 半導体ウエハの洗浄・乾燥方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-041718   出願人：三菱電機株式会社