階段形状のシリンダー型構造のキャパシタを有する半導体装置、及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-339573
公開番号（公開出願番号）：特開2005-159363
出願日： 2004年11月24日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

【課題】キャパシタとその製造方法、これを含む半導体装置及びその製造方法が開示される。【解決手段】前記キャパシタは、ストレージ導電膜及びストレージ導電膜パターンが外壁上に形成され、ストレージ電極の損失を補償する補償部材を具備するストレージ電極、ストレージ電極上に形成された誘電膜、及び誘電膜上に形成されたプレート電極を含む。補償部材を通じてストレージ電極を形成するエッチング工程の間、特にストレージ電極上部の損失を補償できるので、ストレージ電極の構造的安定性が低下することを防止することができる。又、補償部材がストレージ電極の外側上部に提供されるので、適切な厚さを有するストレージ電極を形成できるので、キャパシタの電気的特性を改善することができる。【選択図】図31

請求項（抜粋）：

ストレージ導電膜パターンと前記ストレージ導電膜パターンの外壁上に形成され、ストレージ電極の損失を補償する補償部材とを含むストレージ電極と、前記ストレージ電極上に形成された誘電膜と、前記誘電膜上に形成されたプレート電極と、を含むキャパシタ。

IPC (2件)：

H01L21/8242 , H01L27/108

FI (1件)：

H01L27/10 621C

Fターム (17件)：

5F083AD24 , 5F083AD29 , 5F083AD48 , 5F083AD49 , 5F083AD56 , 5F083AD62 , 5F083GA27 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083MA03 , 5F083NA01 , 5F083PR03 , 5F083PR06 , 5F083PR10 , 5F083PR21 , 5F083PR39 , 5F083PR40

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許6,548,853号
日本公開特許第2003-224210号

審査官引用 (6件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-333372 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置の積層形キャパシタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-011027 出願人：三星電子株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-090770 出願人：株式会社東芝

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