特許
J-GLOBAL ID：200903063881496523
円筒型スタック電極の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-081858
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284135
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】 側壁部の細りをなくすことで機械的強度及び十分な蓄電電荷量Csを確保し、HSG化にも支障をきたさないような円筒型スタック電極の形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上にシリコン膜109を、その上に絶縁膜110を形成し、該絶縁膜をエッチングして前記シリコン膜下の半導体基板に達する第1のホール111を開孔し、第1ホールよりも広い幅で前記絶縁膜に第2のホール113を開孔すると共に、前記シリコン膜をマスクとしてコンタクトホール114を開孔し、コンタクトホールを埋め、且つ円筒型スタック電極形状にアモルファスシリコン膜115を形成し、絶縁膜110、116を除去した後、前記円筒型スタック電極下を除く部分の半導体基板上に形成されたシリコン膜109を除去する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、シリコン膜を形成する工程、該シリコン膜上に絶縁膜を形成する工程、該絶縁膜をエッチングして前記シリコン膜下の半導体基板に達する第1のホールを開孔する工程、前記第1ホールよりも広い幅で前記第1の絶縁膜に第2のホールを開孔すると共に、前記シリコン膜をマスクとしてコンタクトホールを開孔する工程、前記コンタクトホールを埋め、且つ円筒型スタック電極形状にアモルファスシリコン膜を形成する工程、前記アモルファスシリコン膜上に第2の絶縁膜を形成し前記第2のホールを埋め込む工程、前記第2の絶縁膜をアモルファスシリコン表面までエッチングする工程、前記アモルファスシリコン膜を第1の絶縁膜の表面までエッチングする工程、前記絶縁膜を除去する工程、及び前記円筒型スタック電極下を除く部分の半導体基板上に形成されたシリコン膜を除去する工程とを有してなる円筒型スタック電極の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
