無機化合物固体の形成方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲岡耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-370807
公開番号（公開出願番号）：特開2000-191324
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月11日
要約：

【要約】【課題】金属元素を含む有機化合物材料を用いて、比較的低温の熱処理により良好な無機化合物固体(強誘電体膜など)を形成する。【解決手段】強誘電体膜の形成に際し、金属元素を含む有機化合物材料の溶液が半導体基板に塗布される(S41)。これを乾燥し(S42)、さらに仮焼成する(S43)。この工程を所定膜厚となるまで繰り返した後、有機物除去処理を行う(S45)。有機物除去処理は、たとえば、減圧雰囲気中(約50Torr)における加熱処理(約550°C)により行われる。有機物除去処理により得られた無機化合物材料に対して本焼成を行う(S46)。本焼成は、たとえば、約550°Cの温度で行われ、これにより、無機化合物材料が結晶化する。【効果】低温の熱処理で強誘電体膜を形成することができるので、膜間における材料の相互拡散や、半導体基板に形成された素子の特性が劣化しない。

請求項（抜粋）：

金属元素を含む有機化合物を焼成して、無機化合物固体を形成する方法であって、金属元素を含む有機化合物材料に熱以外の手段を用いた有機物除去処理を施して無機化合物材料とする有機物除去工程と、この有機物除去工程により得られる無機化合物材料を焼成して結晶化し、無機化合物固体を得る結晶化工程とを含むことを特徴とする無機化合物固体の形成方法。

IPC (9件)：

C01G 23/00 , C01G 35/00 , H01L 21/314 , H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (6件)：

C01G 23/00 C , C01G 35/00 C , H01L 21/314 A , H01L 27/10 451 , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

Fターム (30件)：

4G047CA08 , 4G047CA10 , 4G047CB06 , 4G047CC02 , 4G047CD02 , 4G048AA05 , 4G048AB02 , 4G048AC02 , 4G048AD02 , 4G048AE08 , 5F001AA17 , 5F001AG01 , 5F001AG30 , 5F058BA11 , 5F058BA20 , 5F058BC20 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BH16 , 5F058BJ01 , 5F083FR02 , 5F083GA21 , 5F083GA25 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA43 , 5F083PR23 , 5F083PR33 , 5F083PR34

引用特許：

審査官引用 (14件)

強誘電体薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-051618 出願人：シャープ株式会社
強誘電体膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-043839 出願人：富士通株式会社
強誘電体薄膜の形成方法、薄膜形成用塗布液
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-013054 出願人：沖電気工業株式会社

全件表示

前のページに戻る