特許
J-GLOBAL ID：200903016402651643

層間絶縁膜の形成方法

発明者：
青井 信雄

青井 信雄 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-208551
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035843
出願日： 1999年07月23日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】 層間絶縁膜における脱ガス現象を発生し難くして、耐熱性に優れた層間絶縁膜を形成できるようにする。【解決手段】 3.0ml/minのメチルトリエトキシシラン(CH3Si(OC2H5)3)と、希釈ガスとしての1000sccmのアルゴンガスとを処理室に導入する。処理室の圧力を1.5Torrに保った状態で、処理室内において、基板を保持する試料台と対向する上部電極に13.56MHzの高周波電力を600Wのパワーで印加する。基板温度を400°Cに設定して、300nm/minの堆積レートで成膜したところ、3.1の比誘電率を有する有機無機ハイブリッド膜が得られた。
請求項（抜粋）：
アルコキシル基、及びシリコンと結合した有機基を有する有機アルコキシシランをプラズマ重合させて有機無機ハリブリッド膜からなる層間絶縁膜を形成することを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/768
FI (3件)：
H01L 21/31 Z ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 P
Fターム (27件)：
5F033QQ00 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033SS03 ,  5F033SS15 ,  5F033TT04 ,  5F033WW03 ,  5F033XX09 ,  5F033XX24 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC16 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE21 ,  5F045CB05 ,  5F045DC63 ,  5F045HA11 ,  5F045HA16
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM