特許
J-GLOBAL ID：200903016421745993
集積回路製造のための低誘電率材料
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三枝 英二 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-250863
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106394
出願日： 1999年09月03日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：
【要約】【課題】高密度集積回路における電気的アイソレーションのための低誘電率を有する絶縁材料を提供する。【解決手段】集積回路内の誘電性エレメント間に電気的アイソレーションを形成する方法であって、一部製造された集積回路を有する基板を提供すること、オルガノシランガス・ソースを酸化剤と反応させて基板上に層を形成すること、形成された層は主として水酸化珪素からなり炭素原子を含有する;及びプラズマ処理の間その上に層を形成することなく水酸化珪素層をプラズマ処理し、それによって水酸化珪素層をより低い誘電率を有する絶縁体に変換すること、を包含する方法。
請求項（抜粋）：
集積回路内の導電性エレメント間に電気的アイソレーションを提供する方法であって、部分的に製造された集積回路を有する基板を提供する工程、オルガノシランガスソースを酸化剤と反応させることにより、主として水酸化珪素から形成されかつ炭素原子を含む層を基板上に形成する工程;及びプラズマ処理する間、水酸化珪素層上に層を形成させることなく、プラズマ処理することにより、水酸化珪素層をより低い誘電率を有する絶縁材料に変換する工程を有する方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/76 N
, H01L 21/316 X
, H01L 21/316 P
