不揮発性メモリ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-126660
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324857
出願日： 2001年04月24日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：

【要約】【課題】電荷蓄積層から活性層へのリーク電流を低減した不揮発性メモリとその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁表面を有する基板101上の半導体薄膜を用いて構成された不揮発性メモリにおいて、活性層側端部110をテーパ形状に形成する。これにより、熱酸化工程により形成した第一の絶縁膜106は、活性層側端角部111においても一様な厚さとなり、局所的な薄膜化が生じない。また、活性層側端角部111における電界集中が生じにくくなる。従って、電荷蓄積層107から活性層105へのリーク電流が低減し、電荷保持特性が向上する。その結果、第一の絶縁膜を更に薄膜化でき、低動作電圧、低消費電力の高性能な不揮発性メモリが実現できる。

請求項（抜粋）：

半導体薄膜によって構成された活性層と、前記活性層に積層された第一の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜に積層された電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層に積層された第二の絶縁膜と、前記第二の絶縁膜に積層された制御ゲートと、からなるメモリTFTによって構成された不揮発性メモリであって、前記活性層の側端部のうち、少なくとも前記電荷蓄積層と前記第一の絶縁膜を介して重なっている部分の側端部はテーパ形状をしていることを特徴とする不揮発性メモリ。

IPC (10件)：

H01L 21/8247 , G02F 1/1368 , H01L 21/3065 , H01L 21/314 , H01L 21/336 , H01L 27/10 461 , H01L 27/115 , H01L 29/786 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (10件)：

G02F 1/1368 , H01L 21/314 M , H01L 27/10 461 , H01L 29/78 371 , H01L 29/78 613 B , H01L 29/78 618 C , H01L 29/78 617 N , H01L 29/78 627 C , H01L 27/10 434 , H01L 21/302 J

Fターム (106件)：

2H092JA23 , 2H092MA13 , 2H092MA17 , 2H092MA25 , 2H092NA16 , 2H092NA22 , 2H092NA26 , 5F004AA05 , 5F004AA11 , 5F004AA12 , 5F004CA02 , 5F004DA01 , 5F004DA26 , 5F004DB02 , 5F004DB03 , 5F004EA01 , 5F004EA28 , 5F004EB08 , 5F058BA01 , 5F058BA20 , 5F058BB06 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BD18 , 5F058BF04 , 5F058BF62 , 5F058BH12 , 5F058BJ01 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP33 , 5F083EP34 , 5F083EP50 , 5F083EP55 , 5F083EP76 , 5F083EP77 , 5F083ER02 , 5F083ER09 , 5F083ER16 , 5F083ER22 , 5F083ER30 , 5F083GA06 , 5F083HA02 , 5F083JA04 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083PR01 , 5F083PR03 , 5F083PR12 , 5F083PR21 , 5F083PR33 , 5F083ZA11 , 5F083ZA13 , 5F083ZA14 , 5F101BA07 , 5F101BA29 , 5F101BB05 , 5F101BC01 , 5F101BC11 , 5F101BD22 , 5F101BD29 , 5F101BD30 , 5F101BD31 , 5F101BD33 , 5F101BD34 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BF09 , 5F101BH14 , 5F101BH16 , 5F101BH21 , 5F110AA30 , 5F110BB08 , 5F110CC02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE09 , 5F110EE27 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF12 , 5F110FF23 , 5F110FF32 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG44 , 5F110GG60 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ23 , 5F110NN02 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP34

引用特許：

審査官引用 (6件)

薄膜半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-262594 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-307667 出願人：ソニー株式会社
特開平4-363028

全件表示

前のページに戻る