特許

J-GLOBAL ID：200903016479418933

III-V族化合物半導体発光素子とその製造方法

発明者： 山本 健作
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-066189
公開番号（公開出願番号）：特開2005-259820
出願日： 2004年03月09日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

【課題】 III-V族化合物半導体発光素子において、光の外部取出し効率を向上させながらその放射特性を制御する。【解決手段】 III-V族化合物半導体発光素子は第1積層体と第2積層体を含み、第1積層体は発光層を含む半導体積層体を含み、その上には発光層からの光を反射するための多層反射構造と第1接合用金属層とが順次形成されており、第2積層体は第2接合用金属層を含み、第1と第2の積層体は第1と第2の接合用金属層の相互接続によって接合されており、多層反射構造は半導体積層体側から順に透光性の導電性酸化物層とこれに隣接する反射金属層とを含み、透光性の導電性酸化物層の厚さを制御することによって光放射特性が制御されている。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

III-V族化合物半導体発光素子であって、 第1の積層体と第2の積層体を含み、 前記第1積層体はn型半導体層、活性層、およびp型半導体層が順に積層された半導体積層体を含み、 前記半導体積層体の一主面上には前記活性層から放射された光を反射するための多層反射構造が形成されており、 前記多層反射構造上には第1の接合用金属層が形成されており、 前記第2積層体は第2の接合用金属層を含み、 前記第1積層体と前記第2積層体とは前記第1接合用金属層と前記第2接合用金属層とを互いに接合することによって接合されており、 前記多層反射構造は前記半導体積層体側から順に透光性の導電性酸化物層とこれに隣接する反射金属層とを含み、 前記透光性の導電性酸化物層の厚さを制御することによって光放射特性が制御されていることを特徴とするIII-V族化合物半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (2件)：

H01L33/00 E ,  H01L33/00 C

Fターム (14件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA08 ,  5F041CA34 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041CA85 ,  5F041CA86 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA94

引用特許：

出願人引用 (2件)

• III族窒化物系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-360159   出願人：豊田合成株式会社, 大同特殊鋼株式会社
• 半導体発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-200298   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (2件)

• 波長変換型半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-040876   出願人：スタンレー電気株式会社
• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-365773   出願人：日立電線株式会社