特許

J-GLOBAL ID：200903016498980154

半導体基板の洗浄方法

発明者： 高田 涼子 ,  高石 和成
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-217147
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049132
出願日： 1998年07月31日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板表面に付着する有機物、金属不純物及び微粒子を少ない工程数で良好に除去する。半導体基板の加工により生じた微小ダメージを除去する。【解決手段】 半導体基板を0.005〜0.25重量%のフッ酸と0.0001重量%以上の有機酸又は有機酸塩の混合液に浸漬した後、有機酸又は有機酸塩を含むリンス液に浸漬する。上記混合液に浸漬する前に、半導体基板を過酸化水素と水酸化アンモニウムを混合した混合液に浸漬した後、超純水でリンスすることが好ましい。また有機酸又は有機酸塩を含むリンス液に浸漬した後、酸化液に浸漬することが好ましい。リンスに用いる有機酸又は有機酸塩を含む液に更に0.1重量%以下のフッ酸を加えてもよい。

請求項（抜粋）：

半導体基板を0.005〜0.25重量%のフッ酸と0.0001重量%以上の有機酸又は有機酸塩の混合液に浸漬する工程(a)と、この混合液に浸漬した半導体基板を0.0001重量%以上の有機酸又は有機酸塩を含むリンス液に浸漬する工程(b)とを含む半導体基板の洗浄方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 647 ,  B08B 3/08 ,  C11D 7/08 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/60

FI (5件)：

H01L 21/304 647 A ,  B08B 3/08 A ,  C11D 7/08 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/60

Fターム (18件)：

3B201AA03 ,  3B201AB01 ,  3B201BB01 ,  3B201BB93 ,  3B201BB96 ,  3B201CC01 ,  4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003DC02 ,  4H003EA05 ,  4H003EA23 ,  4H003EA31 ,  4H003EB07 ,  4H003EB08 ,  4H003ED02 ,  4H003EE03 ,  4H003EE04 ,  4H003FA23

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平4-130100
  
• 基体の表面処理組成物及び表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-243859   出願人：三菱化学株式会社
• 半導体基板の洗浄方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-245359   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体基板の洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-005611   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社