特許

J-GLOBAL ID：200903027147738219

半導体基板の洗浄方法

発明者： 松尾 千鶴子 ,  岸本 幹男 ,  高石 和成
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-005611
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209100
出願日： 1997年01月16日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】 基板表面に付着する金属不純物・微粒子の双方を良好に除去する。【解決手段】 半導体基板11を有機酸とフッ酸を混合したpHが2〜6の混合液15で洗浄した後、この基板を酸化液で洗浄する。汚染基板11を混合液に浸漬するとフッ酸により基板表面の自然酸化膜12が除かれ、膜上の微粒子13、金属不純物14及び膜中の金属不純物が液中に移行する(b)。混合液がpH2〜6の酸性溶液であるため微粒子は基板表面と同じマイナスに荷電されるとともに有機酸の錯化効果により液中の金属不純物イオンはマイナスの錯イオンとなる。この結果、微粒子も金属不純物もそれぞれの表面電位が基板の表面電位と同じマイナスになるため、基板への付着又は再付着が防止される(c)。この基板を酸化液に浸漬すると、酸化液により基板表面に親水性の酸化膜が形成され、金属不純物を錯化しないで基板表面に付着していた有機酸や有機物を分解除去する。

請求項（抜粋）：

半導体基板を有機酸とフッ酸を混合したpHが2〜6である混合液で洗浄する第1洗浄工程と、前記半導体基板を酸化液で洗浄する第2洗浄工程とを含む半導体基板の洗浄方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304

FI (2件)：

H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/304 341 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-144131
  
• 液中異物付着制御法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-226873   出願人：株式会社日立製作所
• 洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-000905   出願人：大見忠弘
• シリコン単結晶ウエーハの洗浄方法および洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-018024   出願人：大見忠弘, 株式会社プレテック, 信越半導体株式会社