成膜装置及び成膜方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-337148
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176821
出願日： 1997年12月08日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】膜質、膜厚、組成など膜特性の均一性を向上させることが可能な成膜装置を提供する。【解決手段】ターゲット電極11と、このターゲット電極に対向してウエハ12を載置するサセプタ13a、13bと、このサセプタの周囲に設けられたシールド18a、18b、18cとを備えた成膜装置において、ポテンシャル調整回路22a、22bによってサセプタの電位分布を制御する、或いは、ポテンシャル調整回路19a、19bによってシールドの少なくともサセプタ近傍の電位を制御するようにした。また、水冷パイプ23a、23bによってサセプタの温度分布を制御する、或いは、水冷パイプ20によってシールドの少なくともサセプタ近傍の温度を制御するようにした。

請求項（抜粋）：

ターゲット電極と、このターゲット電極に対向してウエハを載置するサセプタと、このサセプタの周囲に設けられたシールドとを備えた成膜装置において、前記サセプタの電位分布を制御する電位制御手段を設けたことを特徴とする成膜装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 , C23C 14/34 , C23C 14/54 , H01L 21/203

FI (5件)：

H01L 21/31 D , C23C 14/34 J , C23C 14/34 K , C23C 14/54 D , H01L 21/203 S

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-196319
半導体製造方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-000901 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立マイコンシステム
特開平1-152271

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