ヒドラゾン化合物を用いた触媒、ヒドラゾン高分子化合物及びヒドラゾン高分子化合物を用いた触媒

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：岸本達人 , 星野哲郎 , 山下昭彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-225266
公開番号（公開出願番号）：特開2009-056386
出願日： 2007年08月31日
公開日（公表日）： 2009年03月19日
要約：

【課題】簡便な操作及び工程で製造可能であり、触媒金属の微細分散を可能とする触媒及び該触媒の原料となる高分子化合物を提供する。【解決手段】下記一般式(1)で表されるヒドラゾン化合物に少なくとも1種の触媒金属種を配位させたヒドラゾン金属錯体を焼成することにより得られる触媒、少なくとも下記一般式(1)で表されるヒドラゾン化合物から誘導される構成単位を繰り返し単位として含むヒドラゾン高分子化合物、並びに、少なくとも下記一般式(1)で表されるヒドラゾン化合物から誘導される構成単位を含むヒドラゾン高分子化合物に、少なくとも1種の触媒金属種を配位させたヒドラゾン高分子金属錯体を、焼成することにより得られる触媒。(式中、Pyは2-ピリジル基、3-ピリジル基又は4-ピリジル基を示す。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表されるヒドラゾン化合物に少なくとも1種の触媒金属種を配位させたヒドラゾン金属錯体を、焼成することにより得られる触媒。

IPC (3件)：

B01J 31/22 , B01J 37/08 , H01M 4/88

FI (3件)：

B01J31/22 M , B01J37/08 , H01M4/88 K

Fターム (39件)：

4G169AA03 , 4G169BA08B , 4G169BA22A , 4G169BA22B , 4G169BA27A , 4G169BA27B , 4G169BB02A , 4G169BC66B , 4G169BC67B , 4G169BC68B , 4G169BE01A , 4G169BE01B , 4G169BE05A , 4G169BE05B , 4G169BE13A , 4G169BE13B , 4G169BE37A , 4G169BE37B , 4G169BE38A , 4G169BE38B , 4G169CC32 , 4G169EA11 , 4G169EB01 , 4G169FB23 , 4G169FB30 , 5H018AA03 , 5H018AA04 , 5H018AA06 , 5H018AS01 , 5H018BB01 , 5H018BB16 , 5H018DD08 , 5H018EE02 , 5H018EE03 , 5H018EE04 , 5H018EE05 , 5H018EE11 , 5H018EE16 , 5H018EE17

引用特許：

出願人引用 (1件)

国際公開公報WO2004/036674号

審査官引用 (2件)

ヒドラゾン化合物、錯体形成用ヒドラゾン化合物、金属錯体形成用配位子、及び高分子化合物製造用単量体
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-225268 出願人：トヨタ自動車株式会社, イハラケミカル工業株式会社
置換インドール誘導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-071046 出願人：東ソー株式会社

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