半導体装置およびその作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加茂裕邦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-019281
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174289
出願日： 1995年10月05日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】アクティブマトリクス回路とそれを駆動するための周辺論理回路を結晶性TFTにより同一基板上に作製する。【解決手段】絶縁基板上に形成された半導体膜を含む複数の薄膜トランジスタを有する半導体装置において、前記複数の薄膜トランジスタの少なくともひとつの前記薄膜トランジスタは半導体膜は(111)面,(220)面と(311)面に配向を有し、(111)面の反射強度の、(111)面、(220)面、(311)面の反射強度の和に対する比率は90%以上であり、(111)面、(220)面、(311)面に配向を有する前記半導体膜は前記絶縁基板に平行な方向に結晶成長していることを特徴とする半導体装置である。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成された半導体膜を含む複数の薄膜トランジスタを有する半導体装置において、前記複数の薄膜トランジスタの少なくともひとつの前記薄膜トランジスタは半導体膜は(111)面,(220)面と(311)面に配向を有し、(111)面の反射強度の、(111)面、(220)面、(311)面の反射強度の和に対する比率は90%以上であり、(111)面、(220)面、(311)面に配向を有する前記半導体膜は前記絶縁基板に平行な方向に結晶成長していることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H01L 21/20 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 620 , G09F 9/30 338 , H01L 21/20 , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-284496 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体回路の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-079004 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体回路およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-079000 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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