特許

J-GLOBAL ID：200903016590977135

エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法

発明者： 梅野 繁 ,  白川 義徳 ,  浅山 英一 ,  小池 康夫 ,  工藤 昇
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 森 道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-201264
公開番号（公開出願番号）：特開2002-020200
出願日： 2000年07月03日
公開日（公表日）： 2002年01月23日
要約：

【要約】【課題】新たな熱処理プロセスの追加を行うことなく、エピタキシャル欠陥の発生が少ないエピタキシャルシリコンウェーハを製造できる。【解決手段】(1) CZ法によって窒素ドープで育成したシリコン単結晶から切り出されたウェーハをフッ酸(HF)を含む水溶液を用いて洗浄した後、当該ウェーハの表面上にエピタキシャル層を成長させることを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法である。上記の洗浄は、ウェーハの鏡面研磨後に行うのが望ましい。(2) 上記(1)のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法では、窒素濃度を1×1013atoms/cm3〜1×1016atoms/cm3の範囲でドープするのが望ましい。さらに、フッ酸濃度(質量%)が0.5%〜50%である水溶液を用いてウェーハを洗浄するのが望ましい。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結晶を育成し、このシリコン単結晶から切り出されたウェーハをフッ酸(HF)を含む水溶液を用いて洗浄した後、当該ウェーハの表面上にエピタキシャル層を成長させることを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。

IPC (6件)：

C30B 33/10 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/306

FI (6件)：

C30B 33/10 ,  C30B 29/06 C ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/208 P ,  H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/306 B

Fターム (29件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BB03 ,  4G077CF10 ,  4G077EB01 ,  4G077EE04 ,  4G077FE19 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043BB27 ,  5F043DD02 ,  5F043DD12 ,  5F043DD16 ,  5F043GG10 ,  5F053AA12 ,  5F053BB57 ,  5F053DD01 ,  5F053GG01 ,  5F053KK10 ,  5F053PP01 ,  5F053RR03 ,  5F103AA04 ,  5F103AA10 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103HH07 ,  5F103KK10 ,  5F103PP01 ,  5F103RR06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• エピタキシャルシリコン単結晶ウエ-ハの製造方法及びエピタキシャルシリコン単結晶ウエ-ハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-051784   出願人：信越半導体株式会社
• 特公昭53-035436
  
• シリコン単結晶およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-010066   出願人：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
• 薄膜エピタキシャルウェーハの製造方法およびこの方法により製造された薄膜エピタキシャルウェーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-282747   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社