特許
J-GLOBAL ID:200903016596801438
半導体発光装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
多田 公子
, 宮川 佳三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-138213
公開番号(公開出願番号):特開2008-294224
出願日: 2007年05月24日
公開日(公表日): 2008年12月04日
要約:
【課題】複数のLEDチップと蛍光体層とを組み合わせた発光装置において、色ムラや輝度ムラを大幅に低減する。【解決手段】複数の半導体発光素子(LEDチップ)102が間隙Lを有して配置され、その上面にLEDチップ間の間隙を架橋して蛍光体層103が形成されている。蛍光体層は、厚みが均一であってもよいが、好ましくは、LEDチップ間の間隙の上側の部分の厚みがLEDチップ上面の厚みよりも薄い。蛍光体層が配列したチップ列上面に連続して形成されており、しかもチップ間隙には蛍光体層が存在しないので、間隙あるいは間隙に存在する蛍光体層に起因する輝度ムラや色度ムラを低減できる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
上面と側面とを備え、互いの側面が間隙を有して配置された複数の半導体発光素子と、前記半導体発光素子からの発光の少なくとも一部の光を波長変換する蛍光体を含有する蛍光体層とを備え、
前記蛍光体層は、前記複数の半導体発光素子の上面に架橋して形成されていることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (9件):
5F041AA05
, 5F041AA47
, 5F041DA01
, 5F041DA07
, 5F041DA13
, 5F041DA20
, 5F041DA43
, 5F041DA82
, 5F041EE25
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)