特許

J-GLOBAL ID：200903016597568338

有機半導体メモリとその情報記録、再生、消去方法

発明者： 辻岡 強 ,  入江 正浩 ,  中村 振一郎
出願人/特許権者： 国立大学法人 大阪教育大学 ,  三菱化学株式会社
代理人 (3件)： 星野 哲郎 ,  山下 昭彦 ,  岸本 達人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-243230
公開番号（公開出願番号）：特開2008-066533
出願日： 2006年09月07日
公開日（公表日）： 2008年03月21日
要約：

【課題】フォトクロミック化合物を利用した有機半導体メモリにおいて、情報の記録、再生、消去の全ての処理を電気的に行うことのできる有機半導体メモリを提供する。【解決手段】記録層と、ソース電極と、ゲート電極と、ドレイン電極とを有する有機半導体メモリであって、前記記録層が、フォトクロミック化合物であるジアリールエテン誘導体を含有するものであることを特徴とする有機半導体メモリとする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

記録層と、ソース電極と、ゲート電極と、ドレイン電極とを有する有機半導体メモリであって、前記記録層が、フォトクロミック化合物であるジアリールエテン誘導体を含有するものであることを特徴とする有機半導体メモリ。

IPC (3件)：

H01L 27/28 ,  H01L 51/05 ,  G11C 16/02

FI (5件)：

H01L27/10 449 ,  H01L29/28 100B ,  G11C17/00 611E ,  G11C17/00 612E ,  G11C17/00 613

Fターム (15件)：

5B125BA00 ,  5B125CA08 ,  5B125DA09 ,  5B125DB12 ,  5B125DC12 ,  5B125FA05 ,  5F083FZ07 ,  5F083JA01 ,  5F083JA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083PR23

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 情報記憶デバイスと、この情報記憶デバイスを用いた情報記憶・再生方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-162497   出願人：三菱化学株式会社

審査官引用 (4件)

• 導電路形成層、光応答素子、および光応答装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-330294   出願人：ソニー株式会社
• 特願2006-087591
  出願番号：特願2006-087591  
• 特開平4-137666
  
• 情報記憶デバイスと、この情報記憶デバイスを用いた情報記憶・再生方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-162497   出願人：三菱化学株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• フォトクロミックジアリールエテンを用いた有機分子メモリ特性の素子構造依存性 Organic molecular memory