特許

J-GLOBAL ID：200903041923146923

導電路形成層、光応答素子、および光応答装置

発明者： 石岡 裕輝 ,  崔 明錫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-330294
公開番号（公開出願番号）：特開2008-091847
出願日： 2006年12月07日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：

【課題】光応答特性が良好で、例えば薄膜トランジスタのチャネル層として好適に用いられる導電路形成層を提供する。【解決手段】光照射によって可逆的に導電性が変化する有機分子mと、この有機分子nを結合させ微粒子sとで構成された導電路形成層1であり、有機分子mの官能基が、微粒子sと化学結合している。これにより、有機分子mが両端に有する官能基によって、有機分子mと微粒子sとが交互に結合してネットワークを形成している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

光照射によって可逆的に導電性が変化する有機分子と、当該有機分子を結合させた微粒子とで構成された ことを特徴とする導電路形成層。

IPC (4件)：

H01L 51/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/42

FI (5件)：

H01L29/28 220A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 622 ,  H01L29/28 100A ,  H01L31/08 T

Fターム (29件)：

5F088AA09 ,  5F088AB11 ,  5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110BB13 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110GG05 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 光応答機能を有する電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-059214   出願人：三菱化学株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-184860   出願人：ソニー株式会社
• 光的に制御されるスイッチとして動作するように構成されることを特徴とする装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-145929   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• 情報記憶デバイスと、この情報記憶デバイスを用いた情報記憶・再生方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-162497   出願人：三菱化学株式会社
• 有機半導体トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-154907   出願人：キヤノン株式会社