成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅井章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-224741
公開番号（公開出願番号）：特開2007-042823
出願日： 2005年08月02日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：

【課題】スループットを低下させることなくパーティクルの発生を抑制することができ、内部リークの発生も防止することが可能な成膜方法を提供する。【解決手段】筒体状の処理容器14内に被処理体Wを保持し、全開及び全閉を含んで弁開度を任意に設定することができる弁機構86が途中に介設された真空排気系82により処理容器内の雰囲気を排気しつつ処理容器内に原料ガスと反応性ガスとを供給するようにした成膜装置を用いて薄膜を形成する成膜方法において、原料ガスと反応性ガスとを処理容器内へ交互に供給すると共に、原料ガスの供給時の弁機構の弁開度を、原料ガスの非供給時の弁開度よりも、全閉状態を除いて小さく設定する。これにより、スループットを低下させることなくパーティクルの発生を抑制する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

筒体状の処理容器内に被処理体を保持し、全開及び全閉を含んで弁開度を任意に設定することができる弁機構が途中に介設された真空排気系により前記処理容器内の雰囲気を排気しつつ前記処理容器内に原料ガスと反応性ガスとを供給するようにした成膜装置を用いて薄膜を形成する成膜方法において、前記原料ガスと前記反応性ガスとを前記処理容器内へ交互に供給すると共に、前記原料ガスの供給時の前記弁機構の弁開度を、該原料ガスの非供給時の弁開度よりも、全閉状態を除いて小さく設定するようにしたことを特徴とする成膜方法。

IPC (2件)：

H01L 21/31 , C23C 16/44

FI (2件)：

H01L21/31 C , C23C16/44

Fターム (40件)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA40 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA04 , 4K030EA11 , 4K030FA01 , 4K030JA20 , 4K030KA03 , 4K030KA04 , 4K030KA11 , 4K030KA41 , 5F045AA08 , 5F045AA15 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC05 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC19 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045BB15 , 5F045DP19 , 5F045DQ05 , 5F045EC01 , 5F045EE19 , 5F045EG02 , 5F045EG06 , 5F045EH12 , 5F045EM10

引用特許：

出願人引用 (2件)

照明装置および液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-192257 出願人：東芝ライテック株式会社
縦型半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-107067 出願人：株式会社日立国際電気

審査官引用 (4件)

縦型半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-107067 出願人：株式会社日立国際電気
基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-294015 出願人：株式会社日立国際電気
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-201396 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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