特許
J-GLOBAL ID：200903016612954940

縦型拡散炉および拡散方法

発明者：
井手 繁章

井手 繁章 について


出願人/特許権者：
九州日本電気株式会社

九州日本電気株式会社 について


代理人 (3件)： 机 昌彦 ,  谷澤 靖久 ,  河合 信明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-178884
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022987
出願日： 2002年06月19日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：
【課題】縦型拡散炉において、オリフラ10aのある複数の半導体基板10をボ-トに積載しても反応ガスの流れを一様にし半導体基板10に形成される酸化膜を均一にするようにする。【解決手段】ボ-ト1に収納すべき複数の半導体基板を所定枚数ごとにオリフラ10aの向きを変えることによって、ボ-トの外周にオリフラが分散されオリフラによるガスの巻き込みが無くなり、ガスは一様に流れるようになる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
上下のいずれかの端から上下方向に並べて積載されるべき半導体基板の所定枚数毎に前記半導体基板のオリエンテ-ションフラットの向きをなす角度を変えて複数の前記半導体基板を収納するボ-トと、このボ-トを収納する炉心管と、炉心管内の前記半導体基板を加熱するヒ-タと、前記ボ-トを回転させる回転装置と、前記炉心管内に反応ガスを供給するガス供給管とを備えることを特徴とする縦型拡散炉。
IPC (4件)：
H01L21/31 ,  H01L21/22 ,  H01L21/316 ,  H01L21/68
FI (6件)：
H01L21/31 E ,  H01L21/22 511G ,  H01L21/22 511R ,  H01L21/22 511S ,  H01L21/316 S ,  H01L21/68 N
Fターム (18件)：
5F031CA02 ,  5F031HA64 ,  5F031MA28 ,  5F031PA18 ,  5F045AA20 ,  5F045AC11 ,  5F045AF01 ,  5F045BB03 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EM08 ,  5F058BA06 ,  5F058BC02 ,  5F058BF55 ,  5F058BF62 ,  5F058BG04 ,  5F058BJ01
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 半導体製造装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-152549   出願人：日本電気株式会社
  • 熱処理装置及び熱処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-347532   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
  • 処理方法および処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-192109   出願人：東京エレクトロン株式会社

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