特許

J-GLOBAL ID：200903016686032476

銅配線膜形成方法

発明者： 関口 敦 ,  小林 明子 ,  小出 知昭 ,  張 敏娟 ,  砂山 英樹 ,  肖 石琴 ,  鈴木 薫
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 正次 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-013621
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217202
出願日： 2001年01月22日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板上に形成され、凹部が設けられた絶縁膜上に拡散バリア用下地膜を形成し、さらにその上にCVD法によって、第一の銅膜が形成される工程と、当該第一の銅膜を電極としたメッキ法により第二の銅膜が形成される銅配線膜形成方法において、前記第一の銅薄膜と拡散バリア用下地膜との密着性が改善されていて、半導体製造工程におけるCMP(化学的機械研磨法)工程においても膜剥がれが起きない信頼性の高いCu膜配線を形成する銅配線膜形成方法を提案する。【解決手段】 CVD法による第一の銅膜形成工程と、当該第一の銅膜を電極としたメッキ法により第二の銅膜を形成する工程の間に、第一の銅膜を200〜500°Cの温度範囲にて加熱する工程が設けられていることを特徴とする銅配線膜形成方法によって課題を解決した。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成され、凹部が設けられた絶縁膜上に拡散バリア用下地膜を形成し、さらにその上にCVD法によって、第一の銅膜が形成される工程と、当該第一の銅膜を電極としたメッキ法により第二の銅膜が形成される銅配線膜形成方法において、前記第一の銅膜形成工程と第二の銅膜形成工程の間に、第一の銅膜を200〜500°Cの温度範囲にて加熱する工程が設けられていることを特徴とする銅配線膜形成方法。

FI (2件)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 R

Fターム (21件)：

5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH27 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP02 ,  5F033PP06 ,  5F033PP11 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ85 ,  5F033QQ98 ,  5F033WW02 ,  5F033WW03 ,  5F033XX13

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 金属配線膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-119835   出願人：株式会社神戸製鋼所, 株式会社アルバック
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-010324   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-298109   出願人：富士通株式会社