特許
J-GLOBAL ID：200903016688314878
厚膜パターン形成方法及び膜剥離装置
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
吉田 勝広 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-127795
公開番号（公開出願番号）：特開平10-301300
出願日： 1997年05月02日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】 高い生産性で、高精度、高アスペクト比の厚膜パターンを与える方法及び装置を提供すること。【解決手段】 基板上に樹脂と無機粉体を含む厚膜を形成する工程、該厚膜表面にレジストパターンを形成する工程、レジスト膜の存在しない領域に前記厚膜の樹脂を溶解若しくは膨潤させる剥離液を付与して厚膜をパターン状に剥離除去する工程、及び形成された厚膜パターンを焼成する工程を含むことを特徴とする厚膜パターンの形成方法、及び該方法に使用する膜剥離装置。
請求項（抜粋）：
基板上に樹脂と無機粉体を含む厚膜を形成する工程、該厚膜表面にレジストパターンを形成する工程、レジスト膜の存在しない領域に前記厚膜の樹脂を溶解若しくは膨潤させる剥離液を付与して厚膜をパターン状に剥離除去する工程、及び形成された厚膜パターンを焼成する工程を含むことを特徴とする厚膜パターンの形成方法。
IPC (7件)：
G03F 7/34
, G03F 7/004 501
, G03F 7/032
, G03F 7/30 501
, G03F 7/42
, G09F 9/30 324
, H01J 9/02
G03F 7/34
, G03F 7/004 501
, G03F 7/032
, G03F 7/30 501
, G03F 7/42
, G09F 9/30 324
, H01J 9/02 F
