特許
J-GLOBAL ID：200903016690711639

窒化ガリウム系素子用半導体基板

発明者：
米田 章法

米田 章法 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-138502
公開番号（公開出願番号）：特開2002-335049
出願日： 2001年05月09日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：
【要約】【課題】 製造時における基板の反りを緩和することにより高い歩留まりで製造できかつ良好な素子特性を有する窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】 複数の窒化ガリウム系半導体素子を形成するため半導体基板であって、窒化ガリウム系化合物半導体とは異なる材料からなる異種基板上に、それぞれ横方向成長を伴って成長された第1の窒化物半導体層を含む複数の第1領域とそれぞれ実質的に縦方向のみの成長により成長された第2の窒化物半導体層を含む複数の第2領域とを有してなる。
請求項（抜粋）：
複数の窒化ガリウム系半導体素子を形成するため半導体基板であって、上記半導体基板は、窒化ガリウム系化合物半導体とは異なる材料からなる異種基板上に、それぞれ横方向成長を伴って成長された第1の窒化物半導体層を含む複数の第1領域とそれぞれ実質的に縦方向のみの成長により成長された第2の窒化物半導体層を含む複数の第2領域とを有してなることを特徴とする窒化ガリウム系素子用半導体基板。
Fターム (10件)：
5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (4件)
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