レジストパターン形成方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-027631
公開番号（公開出願番号）：特開2000-221691
出願日： 1999年02月04日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】レジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】紫外線吸収剤を含有する可視光ポジ型感光性被膜を上層被膜及び紫外線ネガ型感光性被膜を下層被膜を積層し、上層被膜の表面から所望のパターンが得られるように可視光線を1段目として照射させたのち、上層被膜を現像処理して照射部分の被膜を除去し、次いで残存した上層被膜及び露出した下層被膜の表面に紫外線を2段目として照射させることにより、露出した下層被膜を硬化させ、且つ上層被膜を分解させたのち、現像処理することを特徴とするレジストパターン形成方法。

請求項（抜粋）：

紫外線吸収剤を含有する可視光ポジ型感光性被膜を上層被膜及び紫外線ネガ型感光性被膜を下層被膜を積層し、上層被膜の表面から所望のパターンが得られるように可視光線を1段目として照射させたのち、上層被膜を現像処理して照射部分の被膜を除去し、次いで残存した上層被膜及び露出した下層被膜の表面に紫外線を2段目として照射させることにより、露出した下層被膜を硬化させ、且つ上層被膜を分解させたのち、現像処理することを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/26 511 , G03F 7/004 502 , G03F 7/095 , H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/26 511 , G03F 7/004 502 , G03F 7/095 , H01L 21/30 502 A , H01L 21/30 573

Fターム (26件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB15 , 2H025AB20 , 2H025AC01 , 2H025AD01 , 2H025BC13 , 2H025BE00 , 2H025CC02 , 2H025DA13 , 2H025FA06 , 2H025FA17 , 2H025FA47 , 2H096AA26 , 2H096BA05 , 2H096BA09 , 2H096EA02 , 2H096EA14 , 2H096GA08 , 2H096KA04 , 2H096KA06 , 2H096KA15 , 5F046AA02 , 5F046NA02 , 5F046NA12 , 5F046NA13

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭63-070425
特開昭63-157421
特開昭62-239530

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