特許
J-GLOBAL ID：200903016740879234

電磁波検出器及び画像検出器

発明者：
和泉 良弘

和泉 良弘 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-202789
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026300
出願日： 2000年07月04日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：
【要約】【課題】 半導体膜の局所的な構造変化や電荷阻止特性の不良の発生が少ない電磁波検出器及び画像検出器を提供する。【解決手段】 電荷収集電極11を、ITOやインジウムと亜鉛との酸化物、インジウムとゲルマニウムとの酸化物等を基本組成とする非晶質透明導電酸化膜で構成する。抵抗値や透明性が劣化するといったトレードオフが無く、また、表面のモフォロジーが滑らかな非晶質透明導電酸化膜で電荷収集電極11を形成し、その上にa-Seに代表される非晶質状態の半導体膜6を形成する。
請求項（抜粋）：
検出対象の電磁波に感応して電荷を生成する半導体膜と、上記半導体膜で生成された電荷を取り出す電荷収集電極とを備えた電磁波検出器において、上記電荷収集電極が非晶質透明導電酸化膜からなることを特徴とする電磁波検出器。
IPC (7件)：
H01L 27/14 ,  G01T 1/24 ,  G01T 1/29 ,  G01T 7/00 ,  H01L 27/146 ,  H01L 29/786 ,  H01L 31/09
FI (7件)：
G01T 1/24 ,  G01T 1/29 C ,  G01T 7/00 A ,  H01L 27/14 K ,  H01L 27/14 C ,  H01L 29/78 613 Z ,  H01L 31/00 A
Fターム (60件)：
2G088EE01 ,  2G088EE27 ,  2G088FF02 ,  2G088FF14 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ32 ,  2G088JJ37 ,  2G088LL11 ,  4M118AA08 ,  4M118AA10 ,  4M118CA32 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118FB08 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118GA10 ,  5F088AA11 ,  5F088BA01 ,  5F088BB03 ,  5F088EA04 ,  5F088EA08 ,  5F088FA04 ,  5F088KA03 ,  5F088LA08 ,  5F110BB02 ,  5F110BB10 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF24 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG35 ,  5F110GG44 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK33 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN73
引用特許：
審査官引用 (6件)
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