強化された遮蔽構造を備えた金属酸化膜半導体デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (9件)：岡部正夫 , 加藤伸晃 , 産形和央 , 岡部讓 , 臼井伸一 , 越智隆夫 , 本宮照久 , 朝日伸光 , 三山勝巳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-237420
公開番号（公開出願番号）：特開2006-060224
出願日： 2005年08月18日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：

【課題】強化された遮蔽構造を備えた金属酸化膜半導体(MOS)デバイスを提供すること。【解決手段】MOSデバイスは、基板上に形成された半導体層を含み、その基板は水平面とその水平面に垂直な方向の法線とを画定する。第1のソース/ドレイン領域および第2のソース/ドレイン領域が、半導体層内で、その上面近傍に形成され、第1のソース/ドレイン領域と第2のソース/ドレイン領域は互いに離隔されている。ゲートが、半導体層の上面近傍に形成され、少なくとも部分的には第1のソース/ドレイン領域と第2のソース/ドレイン領域との間に配置される。第1の誘電領域が、MOSデバイス内に形成され、半導体層の上面から下方に第1の距離まで半導体層の中へ延在するトレンチの境界を画定し、第1のソース/ドレイン領域と第2のソース/ドレイン領域との間に形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

水平面と前記水平面に垂直な方向の法線とを画定する、基板上に形成された半導体層と、前記半導体層内で前記半導体層の上面近傍に形成され、互いに離隔されている第1のソース/ドレイン領域および第2のソース/ドレイン領域と、前記半導体層の上面近傍に形成され、少なくとも部分的には前記第1のソース/ドレイン領域と前記第2のソース/ドレイン領域との間に配置されるゲートと、前記半導体層の上面から下方に第1の距離まで前記半導体層の中に延在するトレンチの境界を画定し、前記第1のソース/ドレイン領域と前記第2のソース/ドレイン領域との間に形成される第1の誘電領域と、前記第1の誘電領域に実質的に形成され、少なくともその一部分が、前記第1の誘電領域の底壁と前記第1の誘電領域の少なくとも1つの側壁との少なくとも1つに隣接して配置される遮蔽構造とを含む金属酸化膜半導体(MOS)デバイス。

IPC (1件)：

H01L 29/78

FI (1件)：

H01L29/78 301W

Fターム (26件)：

5F140AA11 , 5F140AA23 , 5F140AA30 , 5F140AC21 , 5F140BA01 , 5F140BA03 , 5F140BA07 , 5F140BB05 , 5F140BB06 , 5F140BB13 , 5F140BC12 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF43 , 5F140BF44 , 5F140BG38 , 5F140BH15 , 5F140BH17 , 5F140BH30 , 5F140BH41 , 5F140BH43 , 5F140BH45 , 5F140BH47 , 5F140BJ27 , 5F140CD09 , 5F140CE20

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-286517 出願人：富士電機株式会社
横型MOS素子を含む半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-279467 出願人：株式会社豊田中央研究所
特開平2-249277

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