特許
J-GLOBAL ID：200903060372975146
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-286517
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031804
出願日： 2001年09月20日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 横型高耐圧トレンチMOSFETにおいて、工数を大幅に増大させることなく製造可能な構成で、200V以上の耐圧を得ること。モールド樹脂中のイオンの影響をできるだけ抑制すること。【解決手段】 横型高耐圧MOSFETにおいて、半導体基板1にトレンチ2を、そのトレンチ2の側面が基板表面に対して30°〜90°の角度をなすように形成する。このトレンチ2の側面および底面を囲むようにオフセットドレイン領域3を形成し、トレンチ2の内部を絶縁物4で充填する。ゲート電極10をトレンチ2の上部まで伸長してフィールドプレートとしての機能を持たせるとともに、ソース電極12およびドレイン電極13をトレンチ2の上方にまで伸長して形成し、これらにもフィールドプレートとしての機能を持たせる。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板の表面部分に形成された第2導電型のソース領域と、前記半導体基板の、前記ソース領域から離れた表面部分に形成された第2導電型のドレインドリフト領域と、前記ドレインドリフト領域の表面部分にその表面から形成されたトレンチと、前記トレンチ内に充填された絶縁物と、前記半導体基板の、前記トレンチを挟んで前記ソース領域と反対側の表面部分に形成された第2導電型のドレイン領域と、前記半導体基板の、前記ソース領域と前記ドレインドリフト領域との間の表面上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成され、かつ前記トレンチの一部の上に伸長されたゲート電極と、前記ソース領域に電気的に接続するソース電極と、前記ドレイン領域に電気的に接続するドレイン電極と、を具備し、前記トレンチの側面は前記半導体基板の表面に対して30°〜90°の角度をなしていることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 W
, H01L 29/78 301 D
5F140AA25
, 5F140AC21
, 5F140BA01
, 5F140BF01
, 5F140BF04
, 5F140BF42
, 5F140BH02
, 5F140BH05
, 5F140BH18
, 5F140BH30
, 5F140BH41
, 5F140BH49
, 5F140BH50
, 5F140BJ01
, 5F140BJ25
, 5F140BK16
, 5F140CC01
, 5F140CC08
, 5F140CC10
, 5F140CC13
, 5F140CD09
