特許
J-GLOBAL ID：200903016810758502

多結晶シリコン用マスク及びこれを利用した薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
カン,ミュン-クー

カン,ミュン-クー について

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キム,ユン-ジャ

キム,ユン-ジャ について

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カン,スク-ユン

カン,スク-ユン について


出願人/特許権者：
サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド

サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド について


代理人 (6件)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  橋本 正男
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-544821
公開番号（公開出願番号）：特表2005-510063
出願日： 2002年01月24日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：
本発明の実施例による多結晶シリコン用マスクには、横方向に形成されているスリットパターンが各々縦方向に同一な幅で複数配列されている第1乃至第4スリット領域を有する。ここで、第1乃至第4スリット領域に配列されているスリットパターンの幅は、横方向に進むほど順次に第1スリット領域のスリットパターン幅(d)の倍数で増加する幅に形成されている。また、横方向に配列されているスリットパターンの中心線は、同一線上に位置し、それぞれの領域に配置されているそれぞれのスリットパターンは、8×dの間隔で配列されている。ここでは、スリットパターンの幅が順次に増加するように第1乃至第4スリット領域を配置しているが、反対に配置することができ、横方向に配列された第1乃至第4スリット領域を縦方向に配置することもできる。
請求項（抜粋）：
照射するレーザビームの透過領域を定義し、一方向に対して順次に減少或いは増加する幅に形成されている複数のスリットパターンが配列されている多結晶シリコン用マスク。
IPC (4件)：
H01L21/20 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (3件)：
H01L21/20 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 627G
Fターム (34件)：
2H092JA25 ,  2H092JB07 ,  2H092KA04 ,  2H092MA14 ,  2H092MA30 ,  2H092NA21 ,  5F052AA02 ,  5F052BA07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP23
引用特許：
審査官引用 (3件)

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