特許
J-GLOBAL ID：200903016819189349

半導体装置の製造方法および半導体製造装置

発明者：
板谷 秀治

板谷 秀治 について

, 
太田 岳児

太田 岳児 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-172383
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007030
出願日： 1999年06月18日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 CVD装置のドライクリーニング作業時間を短縮する。【解決手段】 ウエハ4への成膜が繰り返し実施される処理室2と、処理室2に堆積した堆積膜をエッチングするエッチングガスを処理室2に供給するエッチングガス供給装置14と、処理室2を排気するメイン排気路18に介設されて排気ガス中の物質を捕集するトラップ22とを備えた二枚葉式減圧CVD装置において、トラップ22を迂回する迂回路26と、エッチングガスの供給時に迂回路26を開きトラップ22へのメイン排気路18を閉じる切換弁27、28、29とが設けられている。ドライクリーニングに際しエッチングガスをトラップを迂回させて排気しエッチングガスがトラップの被捕集物に接触するのを防止する。【効果】 ドライクリーニング実施前にトラップの被捕集物を除去しなくても済むため、ドライクリーニング工程全体としての作業時間を短縮できる。
請求項（抜粋）：
被処理物に対する処理が処理室の内部において繰り返し実施される処理工程と、前記処理室の内部に前記処理によって堆積した堆積膜がエッチングガスによって除去されるドライクリーニング工程とを備えている半導体装置の製造方法において、前記エッチングガスが前記処理工程の排気ガス中の物質を捕集するトラップを迂回されて排気されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/302 N
Fターム (24件)：
5F004AA15 ,  5F004BA19 ,  5F004BB19 ,  5F004BC03 ,  5F004BD04 ,  5F004CA01 ,  5F004CA09 ,  5F004DA00 ,  5F004DB13 ,  5F045AA06 ,  5F045AB31 ,  5F045AC02 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AD08 ,  5F045BB10 ,  5F045DP11 ,  5F045EB06 ,  5F045EB08 ,  5F045EC07 ,  5F045EF20 ,  5F045EG02 ,  5F045EG08 ,  5F045EK06
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 真空処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-196122   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
  • 排気装置および排気方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-164879   出願人：東京エレクトロン株式会社
  • 水冷式ガストラップ装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-028678   出願人：国際電気株式会社

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