特許
J-GLOBAL ID:200903016844251563

低圧浸炭窒化方法及び装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 河野 登夫 ,  河野 英仁
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-507141
公開番号(公開出願番号):特表2008-538386
出願日: 2006年04月19日
公開日(公表日): 2008年10月23日
要約:
【解決手段】本発明は、低い内部圧力に保たれた囲壁(14)に配置された鋼部を浸炭窒化する方法に関し、鋼部はある温度範囲内に保たれる。本発明の方法は、交互に行われる第1及び第2段階を備え、第1段階の間のみ囲壁内にセメンティングガスを注入し、少なくとも2個の第2段階の少なくとも1部の間囲壁内に窒化ガスを注入する。
請求項(抜粋):
減圧された内部圧力に維持された囲壁(14)内に配置されてあり、ある温度レベルに維持されてある鋼部を浸炭窒化する方法において、 交互に行われる第1及び第2ステップを備え、前記第1ステップの間のみ浸炭ガスが前記囲壁内に注入され、少なくとも2個の第2ステップの少なくとも一部の間のみ窒化ガスが前記囲壁に注入されることを特徴とする方法。
IPC (3件):
C23C 8/34 ,  C23C 8/22 ,  C23C 8/26
FI (3件):
C23C8/34 ,  C23C8/22 ,  C23C8/26
Fターム (5件):
4K028AA01 ,  4K028AA02 ,  4K028AC03 ,  4K028AC07 ,  4K028AC08
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)

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