特許

J-GLOBAL ID：200903016850791316

半導体製造に用いる洗浄水又は浸漬水の製造装置

発明者： 青木 秀充 ,  富盛 浩昭 ,  山本 賢一 ,  平野 啓二 ,  多以良 務 ,  山下 幸福 ,  二ツ木 高志
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  オルガノ株式会社
代理人 (1件)： 細井 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-334841
公開番号（公開出願番号）：特開2003-136077
出願日： 2001年10月31日
公開日（公表日）： 2003年05月13日
要約：

【要約】【課題】 半導体デバイスの製造工程における洗浄処理又は浸漬処理時に、半導体デバイスの酸化を抑制できる洗浄水又は浸漬水を効率よく製造するための製造装置を提供する。【解決手段】 超純水製造装置1に水素溶解装置2を連結し、該水素溶解装置2内で超純水に水素を溶解して水素溶解水を製造し、且つ該水素溶解水を送液ライン7を介して洗浄装置5又は浸漬装置6に導くように構成する。送液ライン7から吐出される水素溶解水は洗浄処理又は浸漬処理において半導体デバイスの酸化を抑制する。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスの製造工程における洗浄処理又は浸漬処理に使用する洗浄水又は浸漬水の製造装置であって、超純水に密閉系で水素を添加し水素溶解水を生成する水素溶解水生成部と、該水素溶解水を洗浄装置又は浸漬装置に導く送液ラインとからなり、該送液ラインから吐出される該水素溶解水は前記洗浄処理又は浸漬処理において前記半導体デバイスの酸化を抑制することを特徴とする半導体製造に用いる洗浄水又は浸漬水の製造装置。

IPC (3件)：

C02F 1/68 520 ,  C02F 1/68 510 ,  C02F 1/68 530

FI (3件)：

C02F 1/68 520 B ,  C02F 1/68 510 A ,  C02F 1/68 530 A

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 特開平4-058527
  
• 特開平4-058528
  
• オゾン含有水の処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-046660   出願人：オルガノ株式会社
• 機能水製造方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-202840   出願人：オルガノ株式会社
• 特開平4-320030
  
• オゾン溶解水の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-119939   出願人：栗田工業株式会社
• 紫外線処理装置及び紫外線処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-290248   出願人：ユーシーティー株式会社