特許
J-GLOBAL ID：200903016859483487

半導体装置の製造方法および成膜処理装置

発明者：
梅宮 茂良

梅宮 茂良 について

, 
丸山 研二

丸山 研二 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-129064
公開番号（公開出願番号）：特開2003-324096
出願日： 2002年04月30日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体膜を有する半導体装置を量産する際に、強誘電体膜をMOCVD法により形成することができる技術を提供する。【解決手段】 MOCVD装置の排気系に、残留有機溶媒を触媒反応により分解する分解筒と、粒子状排出物を捕獲する集塵装置とを設け、前記分解筒の温度を、前記分解筒中における触媒反応が生じるような、しかし成膜室における強誘電体膜の成膜温度よりも低い温度に設定する。
請求項（抜粋）：
成膜室に有機金属原料を含む成膜ガスと酸化ガスとを供給し、前記成膜室中に保持された被処理基板表面に強誘電体膜を堆積する工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記強誘電体膜を堆積する工程は、前記成膜室より排気された排気ガスを前記成膜室に結合された排気系に設けられた触媒処理装置において無害化する工程を含み、前記無害化工程は、前記触媒処理装置を、前記成膜ガス中に含まれる有機溶媒成分の触媒反応が生じるような、しかし前記成膜室における成膜処理温度よりも低い温度に保持することで実行されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/31 ,  H01L 27/105
FI (2件)：
H01L 21/31 B ,  H01L 27/10 444 B
Fターム (27件)：
5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE21 ,  5F045AF10 ,  5F045BB16 ,  5F045DC61 ,  5F045EE02 ,  5F045EE05 ,  5F045EG01 ,  5F045EG07 ,  5F083FR02 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083NA08 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33
引用特許：
審査官引用 (3件)

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