特許

J-GLOBAL ID：200903016864158632

大面積ナノ可能マクロエレクトロニクス基板およびその使用

発明者： ドゥアン, シャンフェン ,  ニウ, チュンミン ,  エンペドクレス, スティーブン ,  ロマノ, リンダ ティー. ,  チェン, ジャン ,  サヒ, ビジェンドラ ,  ボック, ローレンス ,  スタンボ, デービッド ,  パース, ジェイ. ウォラス ,  ゴールドマン, ジェイ エル.
出願人/特許権者： ナノシス・インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-500333
公開番号（公開出願番号）：特表2006-507692
出願日： 2003年09月30日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：

複数の半導体デバイスを有する電子的な基板を得るための方法および装置が、説明される。ナノワイヤ薄膜が、基板上に形成される。ナノワイヤ薄膜は、動作電流レベルを達成するのに十分なナノワイヤの密度を有するように形成される。複数の半導体領域が、ナノワイヤ薄膜に画定される。コンタクトが、半導体デバイス領域において形成され、それによって、電気的な接続を複数の半導体デバイスに提供する。さらに、ナノワイヤを製造するための様々な材料、p型ドーピングナノワイヤおよびn型ドーピングナノワイヤを含む薄膜、ナノワイヤヘテロ構造、発光ナノワイヤヘテロ構造、ナノワイヤを基板上に配置するためのフローマスク、ナノワイヤを成膜するためのナノワイヤ噴霧技術、ナノワイヤにおける電子のフォノン散乱を減少または除去するための技術、および、ナノワイヤにおける表面準位を減少させるための技術が、説明される。

請求項（抜粋）：

電気的デバイスを製造する方法であって、 (A)複数のナノワイヤを薄膜として基板上に成膜するステップと、 (B)第1の電気的コンタクトおよび第2の電気的コンタクトを基板上に形成するステップとを含み、 薄膜に含まれるナノワイヤの少なくとも1つが、第1の電気的コンタクトを第2の電気的コンタクトに結合する、 方法。

IPC (18件)：

H01L 29/06 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/368 ,  H01L 29/26 ,  H01L 33/00 ,  H01L 35/32 ,  H01L 35/34 ,  H01L 43/00 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/861 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/823 ,  H01L 41/08 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47

FI (19件)：

H01L29/06 601N ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L21/208 Z ,  H01L21/368 Z ,  H01L29/26 ,  H01L33/00 A ,  H01L35/32 A ,  H01L35/34 ,  H01L43/00 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 613A ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 612Z ,  H01L29/91 Z ,  H01L27/08 321A ,  H01L41/08 D ,  H01L29/48 F

Fターム (76件)：

4M104AA09 ,  4M104GG03 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CB01 ,  5F048AA01 ,  5F048AC04 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F053AA06 ,  5F053AA50 ,  5F053BB09 ,  5F053DD01 ,  5F053DD02 ,  5F053DD03 ,  5F053DD07 ,  5F053DD11 ,  5F053DD14 ,  5F053DD16 ,  5F053DD17 ,  5F053DD18 ,  5F053FF01 ,  5F053GG10 ,  5F053KK03 ,  5F053LL01 ,  5F110AA28 ,  5F110BB04 ,  5F110BB10 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE08 ,  5F110EE22 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF26 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG22 ,  5F110GG23 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG30 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HM04 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25

引用特許：

審査官引用 (4件)

• カーボンナノチューブの水平成長方法及びこれを利用した電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-218578   出願人：エルジー電子株式会社
• 臭気センサー及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-271083   出願人：松下冷機株式会社, 大森裕
• カーボンナノチューブ半導体素子の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-225237   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭62-067872
  

引用文献：

審査官引用 (2件)

• Carbon Nanotube Electronics
• Carbon Nanotube Field Effect Transistors for Logic Applications