特許
J-GLOBAL ID：200903016888029361

III族窒化物半導体基板の製造方法およびIII族窒化物半導体基板

発明者：
砂川 晴夫

砂川 晴夫 について

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石原 裕次郎

石原 裕次郎 について

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鷲見 紀彦

鷲見 紀彦 について

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山本 一富

山本 一富 について


出願人/特許権者：
古河機械金属株式会社

古河機械金属株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-158815
公開番号（公開出願番号）：特開2008-120670
出願日： 2007年06月15日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：
【課題】手間を要さず、下地基板を剥離することができるIII族窒化物半導体基板の製造方法、およびこの製造方法により製造されたIII族窒化物半導体基板を提供すること。【解決手段】本実施形態の自立基板の製造方法は、以下の工程を含むものである。(i)下地基板10上に、炭化アルミニウム層11を形成する工程、(ii)上記炭化アルミニウム層11を窒化する工程、(iii)窒化された上記炭化アルミニウム層12の上部にIII族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる工程、(iv)上記III族窒化物半導体層から、上記下地基板10を除去し、上記III族窒化物半導体層を含むIII族窒化物半導体基板を得る工程。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
下地基板上に、炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタルから選択されるいずれかの炭化物層を形成する工程と、 前記炭化物層を窒化する工程と、 窒化された前記炭化物層の上部にIII族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、 前記III族窒化物半導体層から、前記下地基板を除去し、前記III族窒化物半導体層を含むIII族窒化物半導体基板を得る工程と、 を含むことを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 ,  C23C 16/01
FI (4件)：
C30B29/38 D ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610 ,  C23C16/01
Fターム (31件)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077EE06 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077TB02 ,  4G077TC14 ,  4G077TK08 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA77 ,  5F173AG20 ,  5F173AH22 ,  5F173AP04 ,  5F173AQ02
引用特許：
出願人引用 (3件)

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