特許
J-GLOBAL ID：200903016902988962

薄膜太陽電池

発明者：
池谷 剛

池谷 剛 について


出願人/特許権者：
矢崎総業株式会社

矢崎総業株式会社 について


代理人 (1件)： 瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-341628
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181345
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 大きな光電流を取り出すことができ、その結果、高いエネルギー変換効率を得ることができる薄膜太陽電池を提供すること。【解決手段】 p型半導体層とn型半導体層とがpn接合されて成る薄膜太陽電池10であって、n型半導体層は2種類のII-VI族半導体の各々が所定の範囲の濃度分布で化合されて成る傾斜組成層14から成り、p型半導体層はp型のカルコパライト系CuIn(x)Ga(1-x)Se2(0<x≦1)半導体層13から成る。
請求項（抜粋）：
p型半導体層とn型半導体層とがpn接合されて成る薄膜太陽電池であって、2種類のII-VI族半導体の各々が所定の範囲の濃度分布で化合されて成る傾斜組成層を前記n型半導体層として用いる、ことを特徴とする薄膜太陽電池。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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