半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-159829
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012869
出願日： 1996年06月20日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】タングステン膜を有するMOSFETのゲート電極に関して、低抵抗タングステン膜の製造方法と、2度のレジストの露光工程で、ゲート電極およびソース・ドレイン領域を形成できる構造を提供する。【解決手段】 MOSFET形成において、シリコン基板1上に、素子分離領域2、ゲート絶縁膜3、ゲートポリシリコン膜4を形成後、窒化チタン膜5を形成する。さらに、窒化チタン膜を再結晶化することにより、その上に形成するタングステン膜6の低抵抗化を実現する。次に、CMOS形成において、シリコン基板1上に、素子分離領域2とゲート絶縁膜3と、前記ゲート絶縁膜上の幅0.35μm 以下のポリシリコン膜4、前記ポリシリコン膜上の幅0.35μm 以下で膜厚10nm未満の窒化チタン膜5、前記窒化チタン膜上の幅0.35μm 以下のタングステン膜6で構成される構造により、2度のレジストの露光工程とイオン注入と熱処理で、ゲート電極およびソース・ドレイン領域を形成でき、かつ、ゲート電極中の不純物の相互拡散が発生しない構造を提供する。

請求項（抜粋）：

ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程において、少なくとも、窒化チタン膜を形成する工程と、前記窒化チタン膜を再結晶化する工程を備えたことよりなるゲート電極を特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 301 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 21/28 301 A , H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

MOSトランジスタの多層ゲート電極の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-173248 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-238443 出願人：株式会社東芝
シリコン基板上に2つの層を形成させる方法及びシリコン基板上の接点領域の充填物を形成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-163370 出願人：インテル・コーポレーシヨン

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