特許
J-GLOBAL ID：200903016921292570

量子化コンダクタンス素子、これを用いた磁場変化検出方法及び磁気検出方法、並びに量子化コンダクタンス素子の製造方法

発明者：
大島 忠平

大島 忠平 について

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六田 英治

六田 英治 について

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朝日 透

朝日 透 について

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逢坂 哲彌

逢坂 哲彌 について


出願人/特許権者：
学校法人早稲田大学

学校法人早稲田大学 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-097445
公開番号（公開出願番号）：特開2005-286084
出願日： 2004年03月30日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：
【解決手段】 イオン伝導層(13)が被覆された第1電極(11)と第2電極(12)とを、イオン伝導層と第2電極とを近接させて配設すると共に、近接部において、第1電極と第2電極とが、第1電極からイオン伝導層を貫通するように形成されたマクロ架橋部(15)と、マクロ架橋部の露呈面と第2電極との間に形成された量子化コンダクタンスを呈する金属ナノ架橋(14)とにより導通可能に接続されてなる量子化コンダクタンス素子、これを用いた磁場変化検出方法及び磁気検出方法並びに量子化コンダクタンス素子の製造方法。 【効果】 高い空間分解能で磁気を検出することができると共に、微細な空間における微弱な磁場変化を精度よく検出することができ、特に、テラビット級の磁気記録媒体などに形成される微細セルに保持される微小な磁気を感度よく、良好に、かつ連続的に検出することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1金属を含む化合物からなるイオン伝導層が被覆された上記第1金属からなる第1電極と、上記第1金属とは異なる第2金属からなる第2電極とを、上記イオン伝導層と上記第2電極とを近接させて配設すると共に、上記近接部において、上記第1電極と第2電極とが、上記第1電極表面から上記イオン伝導層を貫通するように形成された上記第1金属からなるマクロ架橋部と、上記マクロ架橋部の露呈面と上記第2電極表面との間に形成された上記第1金属からなり量子化コンダクタンスを呈する金属ナノ架橋とにより導通可能に接続されてなることを特徴とする量子化コンダクタンス素子。
IPC (5件)：
H01L43/00 ,  B82B3/00 ,  G01R33/02 ,  G11B5/33 ,  H01L29/06
FI (5件)：
H01L43/00 ,  B82B3/00 ,  G01R33/02 Z ,  G11B5/33 ,  H01L29/06 601N
Fターム (3件)：
2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD54
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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