特許
J-GLOBAL ID：200903016939077293
音響活性集積電子機器を備えた超音波送受波器の設計方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
伊東 忠彦
, 大貫 進介
, 伊東 忠重
, 永坂 均
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-516655
公開番号（公開出願番号）：特表2006-527567
出願日： 2004年06月07日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：
超音波送受波器(10)は、裏当ブロック(12)と圧電層(16)との間に配置された多層変成器(14)を含み、少なくとも1つの整合層(18,20)が裏当ブロック及び圧電層のそれぞれの上に配置されている。変成器(14)は、電子回路を有する基板(30)と、1つ又はそれ以上の音響活性層(32,34,36,38)と、圧電層(16)と基板(30)との間に介装された相互接続層(40)とを含む。基板(30)、各音響活性層(32,34,36,38)、及び、相互接続層(40)の特性が選択され、次に、変成器(14)近傍の圧電層(16)の側の音響インピーダンスが決定される。次に、変成器(14)近傍の圧電層(16)の側で所望の音響性能特徴をもたらすこれらの特性が得られるまで、例えば、コンピュータシミュレーションを用いて、特性が変更される。よって、電子回路は変成器(14)の音響インピーダンスの決定時に検討される。
請求項（抜粋）：
音響活性裏当ブロックと圧電層との間に設けられ、且つ、少なくとも1つの整合層が前記圧電層上に配置された、超音波送受波器用の音響インピーダンス変成器を設計する方法であって、
電子回路を有する基板の特性を選択するステップと、
前記裏当ブロックと異なる少なくとも1つの音響活性層の各々の特性を選択するステップと、
前記電子回路と前記圧電層との間に介装された相互接続層の特性を選択するステップと、
前記変成器近傍の前記圧電層の側で音響インピーダンスを決定するステップと、
前記変成器近傍の前記圧電層の側で所望の音響性能特徴を得るために、前記基板の特性、前記少なくとも1つの音響活性層の特性、及び、前記相互接続層の特性を変更するステップとを有し、
前記電子回路は前記基板に関連して配置され、前記基板は前記電子回路を前記変成器の一部として有し、前記少なくとも1つの音響活性層は前記変成器の一部であり、前記相互接続層は前記変成器の一部である、
方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H04R17/00 330K
, H04R17/00 330J
