特許

J-GLOBAL ID：200903016940603683

窒化物半導体発光素子とそれを含む光学装置

発明者： 津田 有三 ,  伊藤 茂稔
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-338760
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141617
出願日： 2000年11月07日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】 450nm未満の発光波長を有する窒化物半導体発光素子のしきい値電流密度の低減と発光効率の改善を図る。【解決手段】 窒化物半導体発光素子は、p型層107〜110とn型層102〜105の間においてIn<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N<SB>1-x-y-z</SB>AS<SB>x</SB>P<SB>y</SB>Sb<SB>z</SB>(0<a≦0.25;0<x+y+z≦0.15)井戸層とこれに接するIn<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N(1×10<SP></SP><SP>-4</SP>≦b≦1.5×10<SP>-1</SP>)障壁層とを含む発光層106を含む窒化物半導体積層構造が窒化物半導体基板100または擬似GaN基板上に形成されていることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

p型層とn型層との間においてIn<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N<SB>1-x-y-z</SB>As<SB>x</SB>P<SB>y</SB>Sb<SB>z</SB>(0<a≦0.25;0<x+y+z≦0.15)井戸層とこれに接するIn<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N障壁層とを含む発光層を含む窒化物半導体積層構造が窒化物半導体基板または擬似GaN基板上に形成されていて、かつ発光波長が450nmより短いことを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00 C

Fターム (24件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073BA04 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB20 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA24 ,  5F073DA32 ,  5F073DA33 ,  5F073EA07 ,  5F073EA23 ,  5F073FA01 ,  5F073FA13 ,  5F073GA02 ,  5F073GA12

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 短波長発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-085282   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 半導体レーザー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-006368   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 半導体発光素子材料および構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-357455   出願人：酒井士郎

審査官引用 (3件)

• 短波長発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-085282   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 半導体レーザー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-006368   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 半導体発光素子材料および構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-357455   出願人：酒井士郎