特許

J-GLOBAL ID：200903016959953308

低誘電性の多孔性誘電膜の製造方法

発明者： 李 鴻 志 ,  鄭 光 凱
出願人/特許権者： 昌▲研▼科技股▲ふん▼有限公司
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-178927
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007695
出願日： 2001年06月13日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】 従来の低誘電性の多孔性誘電膜の製造方法に起因する有機溶媒残留、膜内混合物の遷移、多孔質膜の低い接着性、溶媒揮発工程で発生するサイズ収縮等の問題を解決する低誘電性の多孔性誘電膜の製造方法を提供することである。【解決手段】 半導体基材に誘電膜を形成する工程(A)と、該半導体基材を高圧不活性ガスの雰囲気に入れる工程(B)と、該雰囲気の圧力を迅速に解除し、該誘電膜の表面に孔洞を形成させる工程(C)とを含む、低誘電性の多孔性誘電膜の製造方法である。

請求項（抜粋）：

半導体基材に誘電膜を形成する工程(A)と、該半導体基材を高圧不活性ガスの雰囲気に入れる工程(B)と、該雰囲気の圧力を解除し、該誘電膜の表面に孔洞を形成させる工程(C)とを含む、低誘電性の多孔性誘電膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/314 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/314 A ,  H01L 21/312 A ,  H01L 21/90 P ,  H01L 21/90 V

Fターム (17件)：

5F033QQ86 ,  5F033RR01 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033XX24 ,  5F033XX25 ,  5F058AA10 ,  5F058AC02 ,  5F058AC05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG10 ,  5F058BA20 ,  5F058BF02 ,  5F058BH20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-011491   出願人：ソニー株式会社
• 電子装置に応用される小さな誘電率の材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-120216   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 多孔質体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-256233   出願人：松下電器産業株式会社