特許

J-GLOBAL ID：200903016963052056

バリア層へのCVD銅付着の改良

発明者： スコット エドワード ベック ,  ユージーン ジョセフ カーワッキー,ジュニア ,  ラルフ ジェイ.シオッティ ,  ジョン アンソニー トーマス ノーマン
出願人/特許権者： エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-246679
公開番号（公開出願番号）：特開2002-069642
出願日： 2001年08月15日
公開日（公表日）： 2002年03月08日
要約：

【要約】【課題】 銅とバリア層の間の付着力を改良するために、銅膜を堆積する化学蒸着法を提供する。【解決手段】 少くとも1つの銅前駆体の化学蒸着により基体表面上に銅膜を堆積する方法が記載されている。その方法は拡散バリア層および/または堆積膜をプロトン供与分子および/または水素供与分子で処理することを含む。その供与分子は正に荷電した銅を金属銅に還元し、バリア層表面でフッ素と反応して揮発性フッ化ケイ素を生成し、それにより拡散バリア層と銅膜間の付着力を促進する、きれいな界面層を形成する。

請求項（抜粋）：

銅前駆体の化学蒸着により拡散バリア層の表面に銅膜を堆積させる方法において、少くとも該表面および該銅膜の1つを、プロトン供与分子および水素供与分子からなる群より選ばれる供与分子で処理することを含む方法。

IPC (5件)：

C23C 16/18 ,  C23C 16/14 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (5件)：

C23C 16/18 ,  C23C 16/14 ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 Z

Fターム (23件)：

4K030AA04 ,  4K030AA11 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA01 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030JA12 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104DD45 ,  4M104DD79 ,  4M104FF16 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104HH08

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 銅前駆体混合物、およびそれを用いるCVD銅の形成方法、並びに被着性銅導体インターフェース
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-206237   出願人：シャープ株式会社, シャープ・マイクロエレクトロニクス・テクノロジー・インコーポレイテッド
• 半導体デバイス製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-115187   出願人：東京エレクトロン株式会社
• Cu配線膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-135591   出願人：アネルバ株式会社