特許

J-GLOBAL ID：200903016969317159

MFOSメモリトランジスタおよびその製造方法

発明者： シェン テン スー ,  フェンヤン ツアン ,  ティンカイ リー
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-070892
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353420
出願日： 2002年03月14日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】 メモリトランジスタの信頼性を向上する強誘電体トランジスタ構造およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明の強誘電体トランジスタ構造は、a)半導体基板上に下部と、側面と、上部とを有する強誘電体ゲートと、b)強誘電体ゲートと半導体基板との間に挿入されるゲート絶縁体と、c)側面に隣接するパッシベーション側壁とを含む。上記半導体基板はシリコンまたはSOIであり、上記強誘電体ゲートは、PGO、PZT、SBT、SBO、SBTO、SBTN、STO、BTO、BLT、LNOまたはYMnO3である。

請求項（抜粋）：

a)半導体基板上に下部と、側面と、上部とを有する強誘電体ゲートと、b)該強誘電体ゲートと該半導体基板との間に挿入されるゲート絶縁体と、c)該側面に隣接するパッシベーション側壁とを含む強誘電体トランジスタ構造。

IPC (6件)：

H01L 27/105 ,  C23C 14/08 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

C23C 14/08 ,  C23C 16/40 ,  H01L 27/10 444 A ,  H01L 29/78 371

Fターム (45件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BA52 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029GA00 ,  4K030BA01 ,  4K030BA02 ,  4K030BA10 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030BA48 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  5F083FR06 ,  5F083GA25 ,  5F083HA02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA15 ,  5F083JA19 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40 ,  5F101BA62 ,  5F101BB05 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F101BD35 ,  5F101BF01 ,  5F101BH02 ,  5F101BH14 ,  5F101BH16

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電界効果型半導体メモリ装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-230556   出願人：日本電気株式会社
• 電界効果トランジスタ、これに用いる誘電体積層構造およびこれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-295434   出願人：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
• 分極互換バッファ層を有する金属絶縁体半導体構造体
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-509508   出願人：サイメトリックスコーポレイション, 松下電子工業株式会社
• 半導体記憶素子およびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-281624   出願人：ローム株式会社