特許
J-GLOBAL ID：200903016980292974

処理装置及び処理方法

発明者：
北山 博文

北山 博文 について

, 
松島 範昭

松島 範昭 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-014348
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217178
出願日： 2001年01月23日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：
【要約】【課題】 1つの処理容器内において低温処理と高温処理ができ、しかも昇温操作と比較して長い時間を要する降温操作を迅速に行うことが可能な処理装置を提供する。【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器24と、前記処理容器内へ必要な処理ガスを供給する処理ガス供給手段148と、処理すべき被処理体Wを載置する載置台40とを有する処理装置において、前記載置台に熱媒体を流すための熱媒体流路50を形成し、前記熱媒体流路に、低温処理を行うための冷却用熱媒体と高温処理を行うための加熱用熱媒体とを選択的に供給する熱媒体選択供給機構54を接続するように構成する。これにより、1つの処理容器内において低温処理と高温処理ができ、しかも昇温操作と比較して長い時間を要する降温操作を迅速に行う。
請求項（抜粋）：
真空引き可能になされた処理容器と、前記処理容器内へ必要な処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、処理すべき被処理体を載置する載置台とを有する処理装置において、前記載置台に熱媒体を流すための熱媒体流路を形成し、前記熱媒体流路に、低温処理を行うための冷却用熱媒体と高温処理を行うための加熱用熱媒体とを選択的に供給する熱媒体選択供給機構を接続するように構成したことを特徴とする処理装置。
IPC (5件)：
H01L 21/3065 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/768
FI (5件)：
C23C 16/46 ,  H01L 21/28 A ,  H01L 21/324 W ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/90 C
Fターム (28件)：
4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA04 ,  4K030FA02 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030JA10 ,  4K030KA23 ,  4K030KA26 ,  4M104DD23 ,  5F004AA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB18 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004CA01 ,  5F004CA04 ,  5F004DA01 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DB03 ,  5F004EA28 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ94 ,  5F033WW03
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 温度調整装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-202796   出願人：ソニー株式会社
  • 半導体製造装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-300971   出願人：ソニー株式会社
  • 表面処理方法及びその装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-320627   出願人：東京エレクトロン株式会社

前のページに戻る

TOP

BOTTOM