特許
J-GLOBAL ID：200903010566922046
表面処理方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 晃
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-320627
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208498
出願日： 1999年11月11日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 微細な接続孔内等に発生した酸化膜をドライエッチングにより効率良く除去できる表面処理方法及びその装置を提供する。【解決手段】 表面に酸化膜が発生している被処理体Wは、処理容器10内に搬入され、該処理容器内は真空に維持され、N2 とH2 との混合ガスがプラズマ発生部30に導入され、プラズマ化され、それぞれの活性ガス種が形成される。活性化ガス種は被処理体に向けてフローされ、これにNF3 ガスが添加され、活性化されたガスが形成される。被処理体は所定温度以下に冷却手段22により冷却され、活性化されたNF3 ガスに曝され、該ガスと反応し、酸化膜は変質して反応膜が被処理体Wの表面に形成される。N2 、H2 及びNF3 ガスの供給が停止され、加熱手段19で被処理体は所定の温度に加熱され、反応膜が昇華して除去される。
請求項（抜粋）：
処理容器内に、その表面上に酸化物を有する被処理体を搬入する工程と、前記処理容器内を真空排気する工程と、NとHを含むガスをプラズマ発生部に導入し、及び該ガスをプラズマ化して活性化することにより、それぞれの活性ガス種を形成する工程と、前記活性ガス種を被処理体に向けてフローさせ、及びフローしている前記活性ガス種にNF3 ガスを添加することにより、NF3 ガスの活性化されたガスを形成する工程と、前記被処理体を所定の温度以下に冷却する工程と、該NF3 ガスの活性化されたガスを該被処理体の表面上の前記酸化物と反応させることにより、前記酸化物を変質させ反応膜を形成する工程と、からなることを特徴とする表面処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/28
H01L 21/302 F
, H01L 21/28 B
, H01L 21/302 C
