特許
J-GLOBAL ID：200903017005849530

半導体集積素子とその製造方法

発明者：
向原 智一

向原 智一 について

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黒部 立郎

黒部 立郎 について

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粕川 秋彦

粕川 秋彦 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-309192
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127378
出願日： 1999年10月29日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】 異なる層構造をバットジョイント接合するときに、選択成長時にその膜厚を厚くしてもマスクへの這い上がり成長が起こらない半導体集積素子、とりわけ、低しきい値電流で動作する狭出射半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 活性層を含む層構造の活性層領域Iとそれにバットジョイント接合する導波路層領域IIとが半導体基板の上に形成されており、バットジョイント接合面Jは、活性層領域Iにおける少なくとも活性層を構成する半導体材料の結晶方位[011]に対して45°の角度で傾斜する垂直面である半導体レーザ素子。
請求項（抜粋）：
第1の半導体層構造と第2の半導体層構造とがバットジョイント接合して半導体基板の上に形成されている半導体集積素子において、前記バットジョイント接合面は、前記第1の半導体層構造を構成する半導体材料の結晶方位に対して傾斜した垂直面になっていることを特徴とする半導体集積素子。
IPC (3件)：
H01S 5/026 ,  G02B 6/122 ,  H01L 27/15
FI (3件)：
H01S 5/026 ,  H01L 27/15 C ,  G02B 6/12 B
Fターム (14件)：
2H047KA03 ,  2H047KA13 ,  2H047MA05 ,  2H047NA04 ,  2H047PA24 ,  2H047QA02 ,  2H047TA32 ,  5F073AA64 ,  5F073AB21 ,  5F073AB25 ,  5F073AB28 ,  5F073CA12 ,  5F073DA25 ,  5F073EA19
引用特許：
審査官引用 (3件)

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