特許
J-GLOBAL ID：200903017008671678

基板の貫通電極形成方法および貫通電極を有する基板

発明者：
滝沢 功

滝沢 功 について

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佐藤 倬暢

佐藤 倬暢 について

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末益 龍夫

末益 龍夫 について

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糸井 和久

糸井 和久 について


出願人/特許権者：
株式会社フジクラ

株式会社フジクラ について


代理人 (1件)： 加川 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-034528
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237468
出願日： 2001年02月09日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：
【要約】【課題】 シリコン基板に高アスペクト比の貫通電極を形成する。【解決手段】 光励起電解研磨法によりシリコン基板11に高アスペクト比の貫通孔12を形成する。この貫通孔12の内壁を酸化処理して絶縁層としての酸化膜21を形成する。次いで、貫通孔12に溶融金属埋め戻し法により金属23を充填して、貫通電極(23)とする。シリコン基板11に高アスペクト比の貫通電極12を容易に形成でき、例えばシリコンICチップを積層した高密度実装の半導体パッケージを実現すること等が容易になる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板等の基板に貫通電極を形成する貫通電極形成方法であって、光励起電解研磨法により、基板に高アスペクト比の貫通孔を形成し、この貫通孔の内壁を酸化処理して絶縁層としての酸化膜を形成し、次いで、前記貫通孔に溶融金属埋め戻し法により金属を充填することを特徴とする基板の貫通電極形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/3063 ,  H01L 21/316
FI (4件)：
H01L 21/28 E ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/306 L
Fターム (31件)：
4M104AA01 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD07 ,  4M104DD09 ,  4M104DD22 ,  4M104DD23 ,  4M104DD26 ,  4M104DD31 ,  4M104EE02 ,  4M104EE16 ,  4M104FF01 ,  4M104FF21 ,  4M104GG04 ,  4M104GG05 ,  4M104HH14 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD08 ,  5F043DD14 ,  5F043FF04 ,  5F043FF06 ,  5F043GG04 ,  5F058BC03 ,  5F058BE04 ,  5F058BE10 ,  5F058BF46 ,  5F058BF56 ,  5F058BF63 ,  5F058BJ10
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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