特許

J-GLOBAL ID：200903017012832031

半導体装置及び半導体パッケージ

発明者： 渡辺 修治 ,  大工 博 ,  川田 論
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-152124
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017962
出願日： 1994年07月04日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置及び半導体パッケージに関し、材料の異なった半導体基板を接合してなり、熱サイクルの間に反りのない、確実に動作できるようにすることを目的とする。【構成】 電子部品を形成した第1の半導体基板12と、該第1の半導体基板とは別に形成され且つ該第1の半導体基板の一方の表面に取りつけられた第2の半導体基板14と、該第1の半導体基板の他方の表面に取りつけられた支持基板16とからなり、該第1の半導体基板は該第2の半導体基板及び該支持基板よりも薄くされ、該支持基板は熱膨張係数が該第1の半導体基板の熱膨張係数よりも該第2の半導体基板の熱膨張係数に近い材料で形成されている構成とする。

請求項（抜粋）：

電子部品(18)を形成した第1の半導体基板(12)と、該第1の半導体基板とは別に形成され且つ該第1の半導体基板の一方の表面に取りつけられた第2の半導体基板(14)と、該第1の半導体基板の他方の表面に取りつけられた支持基板(16)とからなり、該第1の半導体基板は該第2の半導体基板及び該支持基板よりも薄くされ、該支持基板は熱膨張係数が該第1の半導体基板の熱膨張係数よりも該第2の半導体基板の熱膨張係数に近い材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 27/00 301

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-054668   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-179301   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-287635   出願人：株式会社日立製作所