特許
J-GLOBAL ID：200903017035403618

窒化物ベースのトランジスタおよびエッチストップ層を用いた製造方法

発明者：
スコット ティー.シェパード

スコット ティー.シェパード について

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アンドリュー ケー.マッケンジー

アンドリュー ケー.マッケンジー について

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スコット ティー.アレン

スコット ティー.アレン について

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リチャード ピー.スミス

リチャード ピー.スミス について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-522820
公開番号（公開出願番号）：特表2009-503815
出願日： 2006年07月12日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：
III窒化物電界効果トランジスタ、具体的にHEMTは、チャネル層、チャネル層上にバリア層、キャップ層上にエッチストップ層、エッチストップ層上に誘電体層、バリア層まで広がるゲートリセス、およびゲートリセス内にゲート接点を備える。エッチストップ層は、バリア層を乾式エッチングに曝さないことによって、リセスゲートの形成に関連する損傷を低減することができる。リセス内のエッチストップ層は除去され、残りのエッチストップ層は、パッシベーション層として働く。
請求項（抜粋）：
III窒化物ベースのトランジスタであって、 基板と、 前記基板上にある第1の窒化物ベース層と、 前記第1の窒化物ベース層上にあるエッチストップ層と、 前記エッチストップ層上にある誘電体層と、 前記誘電体層を貫通して広がるゲートリセスと、 前記ゲートリセス内のゲート接点と を備えることを特徴とするIII窒化物ベースのトランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/78
FI (3件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/80 Q
Fターム (42件)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ06 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL08 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GT05 ,  5F102GT06 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F140AA26 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BB18 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD10 ,  5F140BF42
引用特許：
出願人引用 (24件)
  • 米国特許第5,192,987号明細書
  • 米国特許出願公開第2003/0020092号明細書
  • 米国特許第6,686,616号明細書
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審査官引用 (10件)
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-274690   出願人：株式会社リコー
  • 電界効果トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-000842   出願人：日本電気株式会社
  • 特許第6867078号
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