特許

J-GLOBAL ID：200903017046210072

高度発光ドープ金属窒化物粉末を合成するための方法

発明者： ポンス,フェルナンド エー. ,  ガルシア,ラファエル ,  トーマス,アラン シー. ,  ベル,アビゲイル
出願人/特許権者： アリゾナ ボード オブ リージェンツ
代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  亀松 宏
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-510950
公開番号（公開出願番号）：特表2007-534609
出願日： 2005年04月27日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：

最初に金属ドーパント合金を形成し、次に、合金を反応器中において制御された条件下で高純度アンモニアと反応させることにより、高発光効率を表すドープ金属窒化物粉末を大量に製造する簡単で安価な方法。得られるドープ金属窒化物粉末は、純粋の非ドープGaN粉末、ドープGaN薄膜、およびZnS粉末に見られるものを遥かに凌ぐ発光効率を表す。

請求項（抜粋）：

ドープ金属窒化物粉末を製造する方法において、 金属-ドーパント合金を形成する工程、および金属-ドーパント合金をアンモニア流中で900°C〜1200°C間の温度にさらして、アンモニアを金属-ドーパント合金と反応させて結晶構造を形成する工程を含み、 上記結晶構造は、小さな粒径分布を有する六方晶系板状体と大きな粒径分布を有する大きな円柱状微結晶とを含み、板状体および微結晶の両方が明確なウルツ鉱結晶構造を有することを特徴とする結晶構造である、 ドープ金属窒化物粉末を製造する方法。

IPC (4件)：

C01B 21/06 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/62 ,  C09K 11/64

FI (4件)：

C01B21/06 A ,  C09K11/08 B ,  C09K11/62 ,  C09K11/64

Fターム (9件)：

4H001CA02 ,  4H001CF02 ,  4H001XA07 ,  4H001XA13 ,  4H001XA31 ,  4H001XA49 ,  4H001YA12 ,  4H001YA14 ,  4H001YA30

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化物結晶の製造方法、混合物、液相成長方法、窒化物結晶、窒化物結晶粉末、および気相成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-112052   出願人：日立電線株式会社
• III族窒化物結晶成長方法およびIII族窒化物結晶成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-351371   出願人：株式会社リコー
• 窒化物系化合物半導体結晶の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-053048   出願人：日立電線株式会社
• 特開平1-145309