特許
J-GLOBAL ID：200903017050366940

結晶成長用の種結晶及びフッ化物結晶

発明者：
雄山 泰直

雄山 泰直 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について

, 
株式会社オプトロン

株式会社オプトロン について


代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-176874
公開番号（公開出願番号）：特開平11-021197
出願日： 1997年07月02日
公開日（公表日）： 1999年01月26日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、単結晶性が高く、複屈折性の小さな単結晶並びにかかる単結晶を成長させるのに好適な種結晶を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明の種結晶は、結晶の主成長面に接する面のうち少なくとも1つが該主成長面と原子配列と等価な結晶面であることを特徴とする。特に、主成長面と側面の少なくとも一面を同じ面方位({111}あるいは{100})に属する結晶面とするのが好ましい。また、本発明のフッ化物結晶は以上の種結晶を用いてルツボ降下法又は結晶引き上げ法により結晶成長させたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
単結晶成長用の種結晶であって、結晶の主成長面に接する面のうち少なくとも1つが該主成長面と原子配列が等価な結晶面であることを特徴とする結晶成長用の種結晶。
IPC (2件)：
C30B 29/06 502 ,  G02B 1/02
FI (2件)：
C30B 29/06 502 F ,  G02B 1/02
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (24件)
  • シリコン半導体基板および太陽電池用基板の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-160002   出願人：シャープ株式会社
  • 蛍石単結晶の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-070982   出願人：株式会社ニコン, 応用光研工業株式会社
  • 特開昭64-037500
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